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DMG8822UTS
0.05
0.04
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.03
V GS = 1.8V
0.03
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
0.01
0
0
5 10 15 20 25
30
0
5 10 15 20
1.7
1.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.03
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.1
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.02
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.9
0.01
0.7
0.5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.2
1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
14
0.8
12
I D = 1mA
0.6
0.4
0.2
0
I D = 250μA
10
8
6
4
2
0
T A = 25°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG8822UTS
Document number: DS31798 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
June 2009
? Diodes Incorporated
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